В ряде практических применений целесообразно применение однопортового резонансного транзисторного усилителя, построенного по схеме генератора Хартли. В работе рассмотрена методика расчета параметров индуктивностей такого усилителя на полевом HJ-FET транзисторе. Представлены результаты симуляции для выбранной рабочей частоты, а так же функциональная зависимость коэффициента усиления от выбранного коэффициента включения индуктивности.

Авторы: Лялюк Д.В., Широков И.Б.
Организация: Севастопольский национальный технический университет, Украина