вернуться к содержанию конференции

Изготовление и характеристики гетеродиодов n-TiN/p-Si

Исследованы температурные зависимости высоты потенциального барьера и последовательного сопротивления гетероперехода n-TiN/p-Si. Определены доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереход при прямом и обратном смещениях.

Авторы: Солован М.Н., Брус В.В.
Организация: Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Украина


9-я Международная молодёжная научно-техническая конференция «Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций РТ-2013»
22-26 апреля 2013