вернуться к содержанию конференции

Модель МДП-транзистора на основе легированной бор-азотной нанотрубки

Рассмотрена методика моделирования МДП-транзистора с применением легированной углеродом бор-азотной нанотрубки в качестве его полупроводникового канала. Приведены результаты расчета характеристик и параметров транзистора.

Авторы: Чумаков В.А., Грядун В.И.
Организация: Запорожский национальный технический университет, Украина


9-я Международная молодёжная научно-техническая конференция «Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций РТ-2013»
22-26 апреля 2013